Una mirada retrospectiva sobre dispositivos de memoria, innovación y revolución
Desde el inicio de la revolución electrónica, las memorias semiconductoras han desempeñado un papel esencial. A grandes rasgos, la memoria puede agruparse en dos categorías: Memoria no volátil, que conserva su contenido cuando se corta la corriente, y memoria volátil, que pierde su contenido cuando se corta la corriente. En esta primera entrada de la serie sobre memorias semiconductoras de Rochester Electronics, repasaremos los orígenes de la memoria no volátil.
La primera solución semiconductora no volátil fue la PROM (Programmable Read-Only Memory), junto con la estrechamente relacionada EPROM (Erasable PROM). El dispositivo PROM original se propuso en los laboratorios Bell en 1967 y fue desarrollado por Intel en 1971.
En principio, existían dos tipos de EPROM: una versión programable por única vez y una versión que utilizaba luz ultravioleta (UV) para borrar el contenido de la memoria. La versión borrable por luz UV resultó especialmente útil para permitir modificaciones durante las fases de prototipo y desarrollo del diseño.
La primera versión práctica y de fácil producción disponible era de tan solo 256 bytes, Increíblemente pequeña para los estándares actuales. Poco después, otros conocidos proveedores empezaron a vender sus propios dispositivos: AMD, Intel, Fujitsu, Hitachi, Macronix, Atmel y Texas Instruments.
Los proveedores de la competencia introdujeron avances en densidades de memoria, operaciones de menor voltaje y opciones de encapsulado adicionales.
Uno de los principales desafíos de las EPROM era la inconveniencia de reprogramarlas con luz ultravioleta, debido a la necesidad de equipos especializados. El problema se rectificó con el desarrollo de las EEPROM (EPROM programables eléctricamente), ya que la reprogramación se volvió más rápida, fiable y podía realizarse en la placa. El fabricante original de esta tecnología fue Solid State Devices en 1972, con desarrollos posteriores de una serie de empresas que incluían Hughes Aircraft, Fairchild y Siemens. Las continuas mejoras de la memoria introdujeron mayores densidades, menores voltajes de funcionamiento y programación y más opciones de velocidad. Otro cambio destacable fue el paso de las interfaces paralelas de 8 bits a las interfaces seriales, como I2C y SPI. Esto, junto con la reducción de las geometrías de los semiconductores, permitió la migración a paquetes cada vez más pequeños.
Treinta años después, las EPROM y EEPROM siguen utilizándose en innumerables diseños. Aunque el panorama de proveedores ha cambiado, los fabricantes de componentes originales como Microchip (Atmel), onsemi (Catalyst), Renesas, Rohm y ST Micro siguen suministrando producción. Rochester Electronics proporciona inventario de dispositivos EPROM activos y obsoletos, y ofrece nueva producción de los dispositivos clásicos AM27C256, AM27C512 y AM27C010.
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En el ámbito de la memoria no volátil, la competencia llegó con la introducción de la memoria flash. Inventada por Toshiba en 1980, la memoria flash puede borrar y reprogramar la memoria de manera eléctrica, y fue pionera en el concepto de reprogramación en el circuito. A partir de entonces, los dispositivos podían programarse mientras se montaban en la placa y pasaron a formar parte del proceso de fabricación. Esto permitía realizar cambios en el dispositivo de memoria hasta instancias de producción. Antes, muchos dispositivos se pedían a los proveedores y distribuidores preprogramados con muchas semanas de antelación, lo que creaba problemas cada vez que se necesitaba un cambio. La memoria flash mejoró el procesamiento de la línea de producción en un tiempo en el que las líneas de productos pasaban a aumentar la automatización y añadían servicios de fabricación por contrato, lo que permitía una mayor flexibilidad de la producción y reducía los costos.
Luego de su introducción, la memoria flash evolucionó hacia dos tecnologías diferentes. La tecnología flash NOR original podía acceder fácilmente a todas las ubicaciones de memoria con un alto grado de fiabilidad, y la tecnología flash NAND alternativa ofrecía mayores densidades y menos costo, pero a costa de no permitir el acceso de la memoria a una única ubicación y de tener que gestionar las celdas de memoria.
Cada tecnología ofrecía ventajas únicas y se desarrollaron aplicaciones de mercado para ambas. Flash NOR es ideal para almacenar código y datos críticos, mientras que flash NAND destaca en el almacenamiento de datos de alta capacidad hasta el punto de que ya está sustituyendo a las unidades de disco duro en algunas aplicaciones. Algunos de los proveedores que operan en el mercado de las memorias flash en la actualidad son Giga-Devices, Infineon, ISSI y Macronix.
Rochester Electronics ofrece asistencia para dispositivos de memoria Flash activos y obsoletos. La asociación de Rochester e Infineon proporciona soporte continuo para las familias de memorias flash NOR de Cypress y Spansion. Al igual que todos los productos de Rochester, todos los dispositivos están 100 % autorizados, trazables, certificados y garantizados.
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