Soluciones discretas de potencia y gestión de energía de onsemi

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A pesar de todos los avances en electrónica, la energía sigue siendo una parte clave de cada aplicación y diseño. Ya sea para extender la vida útil de la batería o proporcionar la fuente de energía más eficiente en centros de datos y diseños industriales de alta potencia, seleccionar los componentes adecuados y contar con una fuente confiable es crucial.

A través del desarrollo continuo de productos y las adquisiciones, onsemi se ha consolidado como proveedor líder de soluciones de gestión de energía y productos discretos de potencia. La introducción de SiC, GaN y los avances en la gestión inteligente de energía 

A partir de los continuos avances en electrónica, la energía sigue siendo un componente clave de las aplicaciones y diseños industriales. Seleccionar los componentes adecuados con una fuente confiable a largo plazo es crucial. Mediante el desarrollo continuo de productos y adquisiciones, onsemi se ha establecido como un proveedor líder de gestión de energía y productos discretos de potencia para el mercado industrial.

La introducción de SiC, GaN y los avances en la gestión inteligente de energía están impulsando mayores eficiencias. Sin embargo, estos cambios afectan los ciclos de vida de los componentes y, en consecuencia, los productos finales basados en generaciones anteriores de dispositivos. A partir de la comprensión de este desafío, onsemi se asoció con Rochester Electronics durante varias décadas a fin de proporcionar soporte a largo plazo para su obsoleta cartera de productos de administración de energía y discretos.

Rochester cuenta con un inventario extenso de más de 2,500 millones de unidades de productos discretos y de gestión de energía de onsemi que incluyen 24,000 opciones de números de partes. En este inventario, que cuenta con autorización completa y garantía, y puede rastrearse, se incluyen tanto dispositivos de ciclo de vida obsoleto como activo.

Entre los productos notables de nuestro inventario de gestión de energía y potencia discreta de onsemi, se incluyen los siguientes:

FGA20S120MUn IGBT de ánodo acortado de 1200 V y 20 A diseñado para calentamiento por inducción y hornos de microondas. Este producto ofrece un rendimiento superior de conducción y conmutación para aplicaciones de conmutación suave y puede operar en una configuración paralela con capacidad excepcional para el manejo de avalanchas.

NCV57001DWR2GUn driver IGBT monocanal de alta corriente diseñado para lograr una alta eficiencia y fiabilidad del sistema en aplicaciones de alta potencia, disponible en el encapsulado SOIC-16 de cuerpo ancho con una distancia de fuga de 8 mm entre la entrada y la salida a fin de cumplir con los requisitos de aislamiento de seguridad reforzado.

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