Ayudando a los diseñadores de RF a evitar los rediseños costosos para sistemas de larga duración
Soporte de principio a fin para los transistores de potencia LDMOS, VDMOS y GaN1 de Ampleon
Los diseñadores de todo el mundo se enfrentan a una batalla interminable para gestionar el desfase entre el ciclo de vida de su sistema y la obsolescencia de sus componentes.
Este desafío es más evidente en mercados como banda ancha móvil, radiodifusión, comunicaciones militares por radio y por satélite, radar, industria aeroespacial y ciertas aplicaciones médicas, donde todos los componentes de RF de la cadena de señales son piezas “críticas” y, muchas veces, las abastece un solo proveedor.
Ampleon y Rochester Electronics han establecido una exclusiva asociación para ofrecer una fuente confiable y a largo plazo para los dispositivos RF esenciales. Reconocemos la importancia de una transición suave, después de una compra por última vez a un socio de fabricación autorizado que llega al fin de su vida útil, y estamos aquí para ayudarlo.
El inventario de Rochester incluye 325 números de pieza diferentes y más de 1,5 millones de unidades de productos terminados Ampleon. Además, contamos con existencias de obleas y troqueles a fin de ofrecer una producción con licencia continua. Todos nuestros productos están 100 % autorizados y garantizados según las especificaciones originales de Ampleon, y continuarán disponibles durante muchos años.
En la siguiente tabla, descubra la forma en que Rochester garantiza la producción uniforme de productos Ampleon y satisface las necesidades de nuestros valiosos y duraderos clientes.
Base Part Number Description
BLF177 Transistor MOS de potencia HF/VHF
BLF278 Transistor VDMOS de potencia simétrica VHF
BLF3G21-30 Transistor LDMOS de potencia UHF
BLF404 Transistor MOS de potencia UHF
BLF521 Transistor VDMOS de potencia UHF BLF521
BLL1214 Transistor LDMOS de radar de banda en L
CLF1G0035 HEMT GaN de potencia de RF de banda ancha de 50 W y 200 W
CLF1G0060-10 HEMT GaN de potencia de RF de banda ancha de 10 W y 30 W
MX0912B251Y NPN microwave power transistor
ON5040 Transistor de potencia RF
RX1214B300YI Transistor de potencia de microondas NPN
TM-10 HEMT GaN de potencia de RF de banda ancha de 10 W TM-10
Los diseñadores de RF tienen la tranquilidad de saber que se pueden evitar los rediseños costosos por obsolescencia y que existe un plan de soporte a largo plazo libre de riesgos.
