BSG0810NDIATMA1
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Manufacturer:Infineon
Category:Discretes
Description:Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 25V, 0.004ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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Precio:USD 1.46(MX$25.57)
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Infineon
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Código de producto
BSG0810NDIATMA1
Manufacturer
Infineon
Manufacturer Order Code
SP001241674
Generic PN
BSG0810
Manufacturer Life Cycle
Active
Package Type
PG-TISON-8
Package Pin Count
8
RoHS Compliance
Yes
Lead Free
No
Packaging Type
Tape & Reel
Packaging Quantity
5000
Technology Category
Discretes
Technology Subcategory
Transistor
Technology Group
MOSFETs/FETs
US HTS Code
8541.29.0055
ECCN
EAR99

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