FD800R17KE3B2NOSA1
En existencia
Consulte la ficha técnica para ver la imagen exacta del producto.
Manufacturer:Infineon
Category:Discretes
Description:Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel

Hoja de datos
Compartir publicación
Precio:USD 739.19(MX$12,935.83)
¡Compre más y ahorre! Consulte la tabla de precios.
Infineon
En existencia: 46
USD 739.19(MX$12,935.83)|
Precios
CANT.Precio unitario1-24USD 739.19(MX$12,935.83)25-99USD 717.01(MX$12,547.68)100-499USD 694.84(MX$12,159.70)500-999USD 672.66(MX$11,771.55)1000+USD 650.49(MX$11,383.58)
Los precios, la disponibilidad y los plazos de entrega están sujetos a verificación al momento del pedido.
Código de producto
FD800R17KE3B2NOSA1
Manufacturer
Infineon
Manufacturer Order Code
SP000100629
Generic PN
FDXR17K3S
Manufacturer Life Cycle
EOL/LTB
PDN Number
PD_26_023_01
Last Time Buy
4-15-2027
Last Time Ship
12-15-2027
Package Type
A-IHM13-311
Package Pin Count
7
RoHS Compliance
No
Lead Free
No
Packaging Type
Tray
Packaging Quantity
2
Technology Category
Discretes
Technology Subcategory
Transistor
Technology Group
IGBT Module
US HTS Code
8541.29.0055
ECCN
EAR99