IPP126N10N3GXKSA1
En existencia
Consulte la ficha técnica para ver la imagen exacta del producto.
Manufacturer:Infineon
Category:Discretes
Description:Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 100V, 0.0126ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

Hoja de datos
Compartir publicación
Precio:USD 0.86(MX$15.06)
¡Compre más y ahorre! Consulte la tabla de precios.
Infineon
En existencia: 128,093
USD 0.859(MX$15.04)|
Precios
CANT.Precio unitario100-499USD 0.859(MX$15.04)500-999USD 0.7731(MX$13.54)1000-9999USD 0.713(MX$12.49)10000-99999USD 0.6357(MX$11.13)100000+USD 0.5326(MX$9.33)
Los precios, la disponibilidad y los plazos de entrega están sujetos a verificación al momento del pedido.
Código de producto
IPP126N10N3GXKSA1
Manufacturer
Infineon
Manufacturer Order Code
SP000683088
Generic PN
IPP126N10N3 G
Equivalent Standard OPN
IPP180N10N3G
Differences to Standard OPN
X-ROHS,K -Tube, S-10 Functional packing per box & A1 - Revision
Manufacturer Life Cycle
Obsolete
PDN Number
PD_192_23
Last Time Buy
12-31-2023
Last Time Ship
6-30-2024
Package Type
PG-TO220-3
Package Pin Count
3
RoHS Compliance
Yes
Lead Free
Yes
Packaging Type
Tube
Packaging Quantity
50
Technology Category
Discretes
Technology Subcategory
Transistor
Technology Group
MOSFETs/FETs
US HTS Code
8541.29.0055
ECCN
EAR99