IPDD60R102G7XTMA1
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Manufacturer:Infineon
Category:Discretes
Description:Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 600V, 0.102ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

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Precio:USD 2.36(MX$41.33)
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Infineon
En existencia: 1,052
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2,552 Esperado 2026/07/31
USD 2.36(MX$41.33)|
Precios
CANT.Precio unitario25-99USD 2.36(MX$41.33)100-499USD 2.24(MX$39.23)500-999USD 2.12(MX$37.13)1000-9999USD 2.01(MX$35.20)10000+USD 1.89(MX$33.10)
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Código de producto
IPDD60R102G7XTMA1
Manufacturer
Infineon
Manufacturer Order Code
SP001632832
Generic PN
IPDD60R102G7
Manufacturer Life Cycle
NRND
Package Type
PG-HDSOP-1
Package Pin Count
10
RoHS Compliance
Yes
Lead Free
Yes
Packaging Type
Tape & Reel
Packaging Quantity
1700
Technology Category
Discretes
Technology Subcategory
Transistor
Technology Group
MOSFETs/FETs
US HTS Code
8541.29.0055
ECCN
EAR99