IPB025N08N3GATMA1
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Manufacturer:Infineon
Category:Discretes
Description:Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 80V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

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Precio:USD 2.11(MX$36.93)
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Infineon
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CANT.Precio unitario25-99USD 2.11(MX$36.93)100-499USD 2.00(MX$35.00)500-999USD 1.90(MX$33.25)1000-9999USD 1.79(MX$31.33)10000+USD 1.69(MX$29.58)
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Código de producto
IPB025N08N3GATMA1
Manufacturer
Infineon
Manufacturer Order Code
SP000311980
Generic PN
XPB025N08
Manufacturer Life Cycle
NRND
Package Type
PG-TO263-3
Package Pin Count
3
RoHS Compliance
Yes
Lead Free
No
Packaging Type
Tape & Reel
Packaging Quantity
1000
Technology Category
Discretes
Technology Subcategory
Transistor
Technology Group
MOSFETs/FETs
US HTS Code
8541.29.0055
ECCN
EAR99

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