IPI024N06N3GXKSA1
En existencia
Consulte la ficha técnica para ver la imagen exacta del producto.
Manufacturer:Infineon
Category:Discretes
Description:Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA

Hoja de datos
Compartir publicación
Precio:USD 1.51(MX$26.43)
¡Compre más y ahorre! Consulte la tabla de precios.
Infineon
En existencia: 280
USD 1.51(MX$26.43)|
Precios
CANT.Precio unitario25-99USD 1.51(MX$26.43)100-499USD 1.43(MX$25.03)500-999USD 1.36(MX$23.80)1000-9999USD 1.28(MX$22.40)10000+USD 1.21(MX$21.18)
Los precios, la disponibilidad y los plazos de entrega están sujetos a verificación al momento del pedido.
Código de producto
IPI024N06N3GXKSA1
Manufacturer
Infineon
Manufacturer Order Code
SP000680644
Generic PN
XPI024N06
Equivalent Standard OPN
IPI040N06N3G
Differences to Standard OPN
X-ROHS,K -Tube, S-10 Functional packing per box & A1 - Revision
Manufacturer Life Cycle
Obsolete
PDN Number
PD_106_25
Last Time Buy
9-30-2025
Last Time Ship
3-31-2026
Package Type
PG-TO262-3
Package Pin Count
3
RoHS Compliance
Yes
Lead Free
Yes
Packaging Type
Tube
Packaging Quantity
500
Technology Category
Discretes
Technology Subcategory
Transistor
Technology Group
MOSFETs/FETs
US HTS Code
8541.29.0055
ECCN
EAR99

Productos Alternativos Sugeridos


FDI030N06
Hoja de datos
25+USD 2.35($41.13)100+USD 2.23($39.03)500+USD 2.12($37.10)1000+USD 2.00($35.00)10000+USD 1.88($32.90)
En existencia: 70
FDI030N06
Hoja de datos
25+USD 2.35($41.13)100+USD 2.23($39.03)500+USD 2.12($37.10)1000+USD 2.00($35.00)10000+USD 1.88($32.90)
En existencia: 158