IPB038N12N3GATMA1
En existencia
Consulte la ficha técnica para ver la imagen exacta del producto.
Manufacturer:Infineon
Category:Discretes
Description:Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 120V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

Hoja de datos
Compartir publicación
Precio:USD 2.44(MX$42.70)
¡Compre más y ahorre! Consulte la tabla de precios.
Infineon
En existencia: 3,000
USD 2.44(MX$42.70)|
Precios
CANT.Precio unitario25-99USD 2.44(MX$42.70)100-499USD 2.32(MX$40.60)500-999USD 2.20(MX$38.50)1000-9999USD 2.07(MX$36.22)10000+USD 1.95(MX$34.13)
Los precios, la disponibilidad y los plazos de entrega están sujetos a verificación al momento del pedido.
Código de producto
IPB038N12N3GATMA1
Manufacturer
Infineon
Manufacturer Order Code
SP000694160
Generic PN
XPB038N12
Manufacturer Life Cycle
NRND
Package Type
PG-TO263-3
Package Pin Count
3
RoHS Compliance
Yes
Lead Free
No
Packaging Type
Tape & Reel
Packaging Quantity
1000
Technology Category
Discretes
Technology Subcategory
Transistor
Technology Group
MOSFETs/FETs
US HTS Code
8541.29.0055
ECCN
EAR99