IPB054N06N3GATMA1
En existencia
Consulte la ficha técnica para ver la imagen exacta del producto.
Manufacturer:Infineon
Category:Discretes
Description:Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

Precio:USD 1.03(MX$18.03)
¡Compre más y ahorre! Consulte la tabla de precios.
Infineon
En existencia: 76,879
USD 1.03(MX$18.03)|
Precios
CANT.Precio unitario100-499USD 1.03(MX$18.03)500-999USD 0.93(MX$16.28)1000-9999USD 0.85(MX$14.88)10000-99999USD 0.76(MX$13.30)100000+USD 0.64(MX$11.20)
Los precios, la disponibilidad y los plazos de entrega están sujetos a verificación al momento del pedido.
Código de producto
IPB054N06N3GATMA1
Manufacturer
Infineon
Manufacturer Order Code
SP000446782
Generic PN
XPB054N06
Manufacturer Life Cycle
Obsolete
PDN Number
PD_349_24
Last Time Buy
3-31-2025
Last Time Ship
9-30-2025
Package Type
PG-TO263-3
Package Pin Count
3
RoHS Compliance
Yes
Lead Free
No
Packaging Type
Tape & Reel
Packaging Quantity
1000
Technology Category
Discretes
Technology Subcategory
Transistor
Technology Group
MOSFETs/FETs
US HTS Code
8541.29.0055
ECCN
EAR99

Productos Alternativos Sugeridos


100+USD 1.44($25.20)500+USD 1.30($22.75)1000+USD 1.20($21.00)10000+USD 1.07($18.73)100000+USD 0.89($15.58)
En existencia: 785