IPB067N08N3GATMA1
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Manufacturer:Infineon
Category:Discretes
Description:Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 80V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

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Infineon
Agotado
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15,000 Esperado 2026/07/31
USD 1.30(MX$22.75)|
Precios
CANT.Precio unitario25-99USD 1.30(MX$22.75)100-499USD 1.24(MX$21.70)500-999USD 1.17(MX$20.47)1000-9999USD 1.11(MX$19.43)10000+USD 1.04(MX$18.20)
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Código de producto
IPB067N08N3GATMA1
Manufacturer
Infineon
Manufacturer Order Code
SP000443636
Generic PN
XPB067N08
Manufacturer Life Cycle
Obsolete
PDN Number
PD_349_24
Last Time Buy
3-31-2025
Last Time Ship
9-30-2025
Package Type
PG-TO263-3
Package Pin Count
3
RoHS Compliance
Yes
Lead Free
No
Packaging Type
Tape & Reel
Packaging Quantity
1000
Technology Category
Discretes
Technology Subcategory
Transistor
Technology Group
MOSFETs/FETs
US HTS Code
8541.29.0055
ECCN
EAR99

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Hoja de datos
100+USD 1.19($20.83)500+USD 1.07($18.73)1000+USD 0.99($17.33)10000+USD 0.88($15.40)100000+USD 0.74($12.95)
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